Artykuły na każdy temat

Przewodnictwo w praktycznym półprzewodniku niesamoistnym zależy od stosunku koncentracji dziur w paśmie akceptorowym i elektronów w paśmie donorowym w service manuals. Półprzewodnik skompensowany wykazuje najczęściej olbrzymią rezystywność. Wielka rezystywność nie oznacza, więc, że analizowany półprzewodnik jest samoistny, bowiem jej przyczyną może być wyrównanie nośników ładunku. Pod oddziaływaniem pola elektrycznego doprowadzonego do półprzewodnika, nieopanowane nośniki ładunku nawiązują ruch w kierunku pola. Prostota tego ruchu określa się jako mobilność nośników ładunku. Funkcję mobilności nośników ładunku od temperatury jest bardzo złożona. Ledwie w wąskim obszarze temperatury można przyjąć, że jest ona w zbliżeniu proporcjonalna.

Dlatego też zależność rezystywności od temperatury jest przybliżona do funkcji temperaturowej koncentracji nośników ładunku. W powszechnym przypadku można wyróżnić trzy obszary charakterystyczne zależności konduktywności półprzewodnika od temperatury. Konduktywność półprzewodnika, którego temperatura podnosi się od 0 K szybko przyrasta, ponieważ przebiega wzrost skupienia nośników przez doprowadzanie cieplne atomów i wytworzenie dziur i elektronów, suwerennych nośników ładunku.

W przewodniku niesamodzielnym mogą i zwykle występują jednocześnie oba rodzaje domieszek, donorowe i akceptorowe. Wolne elektrony atomów domieszki donorowej są wiązane przez dziury wytworzone przez atomy domieszki akceptorowej. Jeżeli liczby atomów donorowych i akceptorowych w półprzewodniku są nawet w zarysach sobie równe, półprzewodnik ten nie ma nieograniczonych nośników ładunku i jego przewodnictwo jest małe, przybliżone do kierownictwa samodzielnego, półprzewodnik taki zwiemy skompensowanym w service manuals. Jeżeli zaś istnieje jakiś zbytek elektronów lub dziur, transfer ładunków przez półprzewodnik jest możliwy i mamy do czynienia z tak zwanym półprzewodnikiem nadmiarowym.

W temperaturze zera absolutnego półprzewodniki są izolatorami, pasmo podstawowe jest gruntownie wypełnione, pasmo kierownictwa jest absolutnie puste. W temperaturach większych noże nastąpić szczątkowe wypełnienie elektronami pasma przewodnictwa, a w paśmie kluczowym powstaje odpowiednia liczba dziur w service manuals. Rezystywność półprzewodników wykazuje charakterystyczną zależność od temperatury. Wynika ona z różnej funkcji skupienia i mobilności obu gatunków ładunku od temperatury. Ruchliwość nośników ładunku zmienia się z temperaturą nieznacznie w porównaniu z zależnością ich skupienia od temperatury.

Comments are closed.